標題：磨削在硅晶加工-機械拋光表面檢測顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2017-11-2 0:08:26
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正文:
磨削在硅晶加工-機械拋光表面檢測顯微鏡
晶體的取向平面和鑒別平面也需要磨削在硅晶毛坯上，它是以
后各依次順序加工時的基準面
硅晶圓的標準(較大
)取向平面(精度±0．50)和摻雜類型的鑒別平面。這之后就可以用
各向同性的氫氟酸、硝酸和乙酸對硅進行拋光腐蝕，從而去掉有損
傷的材料，并使毛坯的直徑達到額定標準值(±1mm)。下一步是切
片，使用帶有金剛石或鎳切割刀的鋸床將單晶棒切割成片。雖然鋸
刀已經(jīng)做得盡可能的薄了，但它仍會有約100μm的厚度，所以每切
割一片硅片就會損失約125μm的棒材，就是說，在切片工序中單晶
硅棒材要損失近1／4。鋸割過程中同樣會造成晶圓表面的損傷，所
以需要再一次使用上述的混合酸對晶圓進行各向同性的拋光腐蝕，
去掉50—80μm的硅層。
最后是拋光和清洗。晶圓的化學機械拋光使用的是堿性溶液中
有細顆粒SiO2的懸浮膠。之后用多種清潔劑和水很好地清洗烘干。
對拋光后晶圓平整度的要求取決于隨后各道工序的指標，較典型的
為±5μm左右，對用于制備微變送器和MEMS器件的晶圓來說，經(jīng)常
會需要從晶圓的背面進行刻蝕，所以對它們必須兩面都拋光。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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