標(biāo)題：泥巖的界面斷口分析圖像顯微鏡制造廠家
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作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2019-9-14 4:24:13
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正文:
泥巖的界面斷口分析圖像顯微鏡制造廠家
對(duì)于膨脹泥巖，關(guān)于巖性過渡層與井液處于平衡狀態(tài)的假設(shè)是不符合
實(shí)際的。假設(shè)在沒有擴(kuò)徑的泥巖層段內(nèi)，有一被沖毀而擴(kuò)徑的膨脹泥巖層
，且兩種泥巖層的吸附性質(zhì)入，和其中水的平衡濃度石o¨都是相同的。膨
脹層中部?jī)?nèi)的溶液與地層和井液都不處于平衡狀態(tài)，因?yàn)樵谶@部分泥巖層
內(nèi)，混有地層水和井液濾液，因此泥巖產(chǎn)生膨脹。令這部分巖層的巖石性
質(zhì)是穩(wěn)定不變的；
我們將認(rèn)為，具有可變吸附性質(zhì)的膨脹層在靠近井眼的沖毀部分與井
液處于擴(kuò)散平衡狀態(tài)。在膨脹層與不膨脹泥巖的界面處，平衡礦化度用云
，那么，在井和膨脹泥巖的界面處，總電動(dòng)勢(shì)等于井液與膨脹層接觸的邊
界電動(dòng)勢(shì)膨脹層內(nèi)的擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì)、膨脹層與不膨脹泥巖接觸處的邊界電動(dòng)
勢(shì)．不膨脹泥巖表面層內(nèi)的擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì)之和。
在被淡水水淹、 且有咸的殘余水的油層處， 這樣的CFI曲線偏移更
為有害，因?yàn)楦鶕?jù)這種偏移可得出局部水淹的錯(cuò)誤結(jié)論。井液咸度按深度
逐漸變化，顯然要引起CH曲線逐漸偏移。
研究巖石和井內(nèi)的擴(kuò)散—吸附電動(dòng)勢(shì)，可使我們深入研究自然電位方
法理論，為一系列實(shí)際應(yīng)用提出依據(jù)，
1)在CH方法理論基礎(chǔ)上，能夠確立關(guān)于擴(kuò)散電位．邊界電位和擴(kuò)踟吸
附電位的概念。這些電位是給定巖石小體積平衡的自由溶液離子濃度總和
云。及巖石吸附性質(zhì)總和入的單值勢(shì)函數(shù)和迭加函數(shù)。產(chǎn)生于吸附性質(zhì)為
入的均質(zhì)巖石內(nèi)，平衡濃度為叾。和叾。丫區(qū)域問的電動(dòng)勢(shì)稱為擴(kuò)散電位
瓦；產(chǎn)生于吸附性質(zhì)為X的巖石與同它平衡的、濃度為石。得到了擴(kuò)散電位
、邊界電位
2)當(dāng)各種離子濃度間存在函數(shù)關(guān)系，并在給定巖石體積內(nèi)的各點(diǎn)都一
樣時(shí)(這個(gè)條件對(duì)一種電解質(zhì)溶液飽和的巖石永遠(yuǎn)是滿足的)，擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì)
在一定的巖石或溶液體積范圍內(nèi)是勢(shì)函數(shù)。而當(dāng)擴(kuò)散電位是勢(shì)函數(shù)時(shí)，實(shí)
驗(yàn)室和井內(nèi)所測(cè)擴(kuò)散—吸附電動(dòng)勢(shì)值可用電位
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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