IC封裝與測(cè)試的步驟

矽晶圓在晶圓廠內(nèi)生產(chǎn)完畢后，會(huì)先以防靜電包裝密封，再送至封裝與測(cè)試廠進(jìn)行封裝與測(cè)試，其步驟如下：

封裝前測(cè)試

晶粒在封裝前先以探針卡(Probe Card)對(duì)晶粒進(jìn)行電性測(cè)試，測(cè)試正常再進(jìn)行封裝，不正常則打上紅墨記號(hào)而不封裝。積體電路的「封裝前測(cè)試」是將測(cè)試用的電訊號(hào)，經(jīng)由探針卡的某些針腳送入金屬黏著墊(Bond pad)，再流入CMOS中，經(jīng)過(guò)數(shù)百萬(wàn)個(gè)CMOS運(yùn)算后再由另外某些針腳流出，我們可以由這些流出的電訊號(hào)來(lái)判斷晶粒是否正常工作。

激光修補(bǔ)及修補(bǔ)后測(cè)試

一般晶粒中都含有記憶體，這些含有記憶體的晶粒中一般都含有「?jìng)溆糜洃涹w」，如果測(cè)試發(fā)現(xiàn)記憶體故障，則會(huì)以遠(yuǎn)紅外線激光切斷對(duì)應(yīng)的金屬導(dǎo)線，使用備用記憶體取代故障記憶體，再進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試正常再進(jìn)行封裝，不正常則打上紅墨記號(hào)而不封裝。晶粒切割及黏晶將晶圓上的晶粒，以鉆石刀沿切割線切開(kāi)，形成一顆顆正方形的晶片，再將晶片以銀膠黏貼在塑膠或陶瓷的封裝外殼內(nèi)，封裝外殼具有保謢與散熱作用。

打線封裝(或覆晶封裝)

以機(jī)械鋼嘴將金線一端加壓打在「晶片」四周圍的「黏著墊(Bond pad)」上，另一端加壓打在「導(dǎo)線架」的「金屬接腳(蜈蚣腳)」上。使電訊號(hào)在晶片的「地下室」中經(jīng)由CMOS完成運(yùn)算后可以送到最上層的「黏著墊(Bond pad)」，再經(jīng)由「金線」連接到封裝外殼的金屬接腳上，此外也可以經(jīng)由覆晶封裝的方面與外界連接，關(guān)于覆晶封裝將在后面章節(jié)再詳細(xì)介紹。

封膠

將打線后的晶片與接腳放在鑄模內(nèi)，注入「環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)」后再烘烤硬化而將晶片密封包裝，「環(huán)氧樹(shù)脂」俗名「強(qiáng)力膠」，所以封膠的動(dòng)作其實(shí)就是用強(qiáng)力膠將晶片黏貼在塑膠或陶瓷的封裝外殼內(nèi)。

剪切成型

以械器將多余的環(huán)氧樹(shù)脂去除，并將塑膠外殼剪切成所需的形狀，剪切成型后就得到長(zhǎng)得很像「蜈蚣」的「積體電路(IC)」了。

預(yù)燒前測(cè)試(Pre-Burn-In test)

「預(yù)燒前測(cè)試」的目的在確�！阜e體電路(IC)」在預(yù)燒時(shí)不會(huì)因?yàn)槎搪坊虼箅娏鞫�影響其它正常元件的工作�?#61609;預(yù)燒(Burn-In) 

預(yù)燒是讓「積體電路(IC)」在高溫與高電壓的嚴(yán)格條件下工作，以使不良的元件「提早故障(Early Failure)」。舉例來(lái)說(shuō)，某一顆積體電路中可能在某些多層金屬導(dǎo)線或金屬柱(Via)制作不良，造成賣給客戶以后使用一個(gè)月就發(fā)生故障，因此在積體電路出廠之前就 ​​先在高溫與高電壓的嚴(yán)格條件下工作，使制作不良的產(chǎn)品提早故障，而將這些不良品先過(guò)濾出來(lái)。

全功能測(cè)試(Final test)

包括符合規(guī)格的完全測(cè)試與較精密之時(shí)序參數(shù)測(cè)試等，以確保積體電路符合出廠標(biāo)準(zhǔn)。

激光印字

將產(chǎn)品的制造廠、品名、批號(hào)與制造日期等以激光打印于封裝外殼表面，做為標(biāo)記。

封裝后測(cè)試

出廠前最后的測(cè)試工作，包括腳位掃瞄檢查、品管抽樣測(cè)試等，通過(guò)測(cè)試的積體電路就可以出廠銷售了，

積體電路的「封裝后測(cè)試」是將測(cè)試用的電訊號(hào)，經(jīng)由「導(dǎo)線架」上的「金屬接腳(蜈蚣腳) 」送入積體電路，經(jīng)由金線傳送到黏著墊(Bond pad)，再流入CMOS中，經(jīng)過(guò)數(shù)百萬(wàn)個(gè)CMOS運(yùn)算后再由另外某些黏著墊(Bond pad)送出，經(jīng)由另外的金線傳送到「導(dǎo)線架」上另外的「金屬接腳(蜈蚣腳)」流出，我們可以由這些流出的電訊號(hào)來(lái)判斷積體電路(IC)是否正常工作。