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正文:
使用
金相顯微鏡分析表面型態(tài)顆粒-無電鍍析
無電鍍析鍍鎳于二氧化矽奈米線上之特性研究
利用金顆粒成長二氧化矽奈米線,再以無電鍍析鍍的方式,析鍍鎳于二氧化矽奈米線基材上,
無電鍍析鍍Ni-P薄膜的pH 値分別是4.2、4.6、5.0及5.4,
將已析鍍Ni-P薄膜之試片在溫度400℃、450℃、500℃下進行真空快速退火熱處理(Rapid Thermal Annealing , RTA)。
使用
金相顯微鏡分析表面型態(tài),X光繞射儀(XRD)探討Ni-P薄膜之結(jié)構(gòu),
交流式梯度磁場量側(cè)儀(AGM) 量側(cè)其磁性。
實驗結(jié)果指出,在退火400℃、10 s時,pH5.4、析鍍時間180s與90s,pH5.0、析鍍時間203s,pH4.6、
析鍍時間270s之薄膜皆有優(yōu)異的軟磁性。隨著退火溫度與退火時間增加,Ni顆粒會漸漸變大,
頑磁力(Hc)值也隨之增大,而使軟磁特性漸漸喪失;在pH値影響方面,pH5.4條件下析鍍之薄膜,
其軟磁特性較容易喪失, 而pH4.2條件下析鍍之薄膜,軟磁性則越不易喪失。
關(guān)鍵字:無電鍍、二氧化矽奈米線、頑磁力、軟磁性。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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