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標(biāo)題:不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜-熒光顯微鏡廠家

信息分類:站內(nèi)新聞   作者:yiyi發(fā)布   時(shí)間:2013-4-27 21:39:32 將本頁加入收藏

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正文:

微光激發(fā)熒光光譜及顯微鏡觀察膜結(jié)構(gòu)


利用光激發(fā)熒光光譜、微光激發(fā)熒光光譜及原子力顯微鏡,來研究高銦含量氮化銦鎵(InxGa1-xN)
薄膜結(jié)構(gòu)的發(fā)光特性。由光激發(fā)熒光光譜,觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦x ≦ 1之間的發(fā)光位置。
在原子力顯微鏡的影像發(fā)現(xiàn),高銦含量(0.92≦ x ≦ 0.36)的氮化銦鎵表面有團(tuán)狀物的形成,
同時(shí)在變溫光譜中,其訊號(hào)峰值隨溫度上升,有一S型的能量變化外,

半高寬變化也有不規(guī)則的改變。最后藉由不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜,
來加以探討這些不尋,F(xiàn)象的原因


在半導(dǎo)體光電元件的發(fā)展過程中,尋找高效能的發(fā)光材料一直是大家努力的方向之一,
由于化合物半導(dǎo)體材料本身具有相當(dāng)多的優(yōu)
點(diǎn):如發(fā)光效率高、操作生命期長、能隙可調(diào)范圍大……等優(yōu)點(diǎn),因此能在許多發(fā)光材料中脫穎而出。










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