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正文:
晶圓表面納米微粒量測(cè)技術(shù)
除了薄膜的檢測(cè)技術(shù),在半導(dǎo)體、TFT 的制程中,晶圓表面加工程序前后的品質(zhì)對(duì)
于往后成品的良率有直接的影響。因此,在任何加工前或是清洗后,晶圓表面的品質(zhì)檢
測(cè),包括缺陷、微粒、Crystal Originated Pits (COPs)等,或是加工程序(deposition, patterning,
polishing, etching, cleaning)后,包括 CD、薄膜厚度、pattern 缺陷、應(yīng)力分析、微粒、
片電阻等,各項(xiàng)品質(zhì)參數(shù)需要檢驗(yàn)。此一工作項(xiàng)目,即針對(duì)晶圓表面微粒檢測(cè)技術(shù)及標(biāo)
準(zhǔn),做為訴求,以期提升并建立晶圓表面微粒檢測(cè)技術(shù),解決半導(dǎo)體業(yè)檢測(cè)需求,服務(wù)業(yè)界。
為因應(yīng)量測(cè)物之材料特性,非接觸式方法量測(cè)晶圓表面是最佳選擇。為提高生產(chǎn)
量,光學(xué)檢測(cè)技術(shù)則是最佳選擇。因此,此研究將以光散射的原理,做為量測(cè)方法,
整個(gè)散射光量測(cè)系統(tǒng)架構(gòu)科學(xué)。
量測(cè)系統(tǒng)主要利用激光光打入欲量測(cè)的物體表面(預(yù)設(shè)是晶圓),然后利用一光接受裝置收取激光光的散射,利用此散射現(xiàn)象來(lái)判
斷晶圓上微粒的粒徑大小。因此整個(gè)量測(cè)系統(tǒng)可以分成三個(gè)部分來(lái)組成,包含光源裝
置、待測(cè)物運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)、光接收裝置等。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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