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正文:
針對(duì)奈米線寬之銅制程所采用的高硬度的障壁層及低強(qiáng)度的多孔性材料之低介電常數(shù)材料為題材,
進(jìn)行平坦化之研磨拋光性能試驗(yàn)與探討.
由于傳統(tǒng)的CMP所設(shè)定的負(fù)載拋光應(yīng)力,作用于奈米線寬之銅制程之平坦化過(guò)程當(dāng)中.由于低介常數(shù)材料的機(jī)械強(qiáng)度
不及于以往的介電質(zhì)材料,無(wú)法丞受過(guò)大的拋光應(yīng)力.易于拋光過(guò)程當(dāng)中,
因拋光應(yīng)力過(guò)大造成低介電常數(shù)材料之微結(jié)構(gòu)的破壞,進(jìn)而影響后續(xù)產(chǎn)品的制造品質(zhì).
因此對(duì)于所采用低介電常數(shù)材料之銅導(dǎo)內(nèi)連線平坦化過(guò)程,所使用的研磨拋光應(yīng)力不宜過(guò)大,
約0.5psi左右的拋光應(yīng)力.而在如此低的研磨應(yīng)力之下,對(duì)于高強(qiáng)度的障壁阻絕層亦能有效的達(dá)到拋光的效果.
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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