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標(biāo)題:微影技術(shù)簡介-晶圓表面的光學(xué)量測幾何圖案

信息分類:站內(nèi)新聞   作者:yiyi發(fā)布   時間:2013-6-12 20:40:23 將本頁加入收藏

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正文:

微影技術(shù)簡介-晶圓表面的光學(xué)量測幾何圖案

在半導(dǎo)體制程中,微影技術(shù)是決定半導(dǎo)體線寬尺寸的關(guān)鍵技術(shù),

而覆蓋誤差量的控制又是微影制程的關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體制程的發(fā)展,積體電路的元件線寬越來越小,
覆蓋誤差(Overlay error)量的控制也越來越重要。產(chǎn)生覆蓋誤差的原因是光罩之對
位不正以及光源經(jīng)過透鏡組與光罩后,因為電磁場與表面結(jié)構(gòu)之近場交互作用的
效應(yīng)以及遠(yuǎn)場之光學(xué)像差影響,造成晶圓表面的光學(xué)量測幾何圖案偏移與變形。
為了能有效控制覆蓋誤差量,除了利用測量儀器做精確定位以減少對位產(chǎn)生之誤差之
外,對于圖案線寬小于波長等級之結(jié)構(gòu),使用數(shù)值模擬的方法在電腦上進(jìn)行計算,
以事先了解光罩圖案在近場因繞射效應(yīng)產(chǎn)生之圖案變形,做最佳之光罩圖樣設(shè)計以減
少覆蓋誤差量是較經(jīng)濟(jì)且有效的做法。










出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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