標(biāo)題：表面粗糙度測量儀器-光學(xué)精密儀器廠家
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2013-6-30 23:51:18
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正文:
單晶矽為半導(dǎo)體晶片常用之基板材料，但在封裝過程若設(shè)計(jì)不當(dāng)則有可能因材料間熱膨脹系數(shù)不匹配而造成晶片破壞。
許多學(xué)者藉由各種測試方式期望能得到矽晶片的破壞強(qiáng)度以改善制程良率，并發(fā)現(xiàn)當(dāng)單晶矽試片尺寸縮小時(shí)其強(qiáng)度上升
然而，當(dāng)制造較小尺寸試片時(shí)由于制造方式改變會造成粗糙度的改變，并影響破壞強(qiáng)度。
因此，本研究的目的在于建立一套方法以獲得帶有粗糙度影響之破壞強(qiáng)度。
由于實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示側(cè)面粗糙度的影響較表面粗糙度的影響大，因此本研究聚焦于側(cè)面粗糙度對破壞強(qiáng)度的影響。
首先，利用光學(xué)顯微鏡配合影像處理技術(shù)重建試片的側(cè)面粗糙度曲線，并獲得最大粗糙度高度R_max以及平均波峰間距
S_m等粗糙度參數(shù)。接著，進(jìn)行三點(diǎn)彎折實(shí)驗(yàn)以獲得試片破壞時(shí)所需位移，并擬合韋伯分布曲線獲得最大近似估計(jì)量。
最后，把粗糙度參數(shù)以及破壞時(shí)所需位移代入有等效凹槽的有限元素模型并進(jìn)行求解，
可得到試片破壞時(shí)凹槽頂端之第一主應(yīng)力，即帶有側(cè)面粗糙度影響的單晶矽破壞強(qiáng)度。
結(jié)果顯示帶有側(cè)面粗糙度影響的單晶矽破壞強(qiáng)度約為2.7 GPa，此數(shù)值與文獻(xiàn)相比在合理范圍內(nèi)。盡管如此，
本方法在表面存在研磨痕跡且痕跡與側(cè)面接近垂直時(shí)會造成高估的結(jié)果，
若利用在表面拋光后的試片可望有較合理的結(jié)果
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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