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正文:
立體覆晶封裝制程輔助立體
顯微鏡-微結(jié)構(gòu)觀察
封裝技術(shù)已由覆晶封裝轉(zhuǎn)變?yōu)槿S立體封裝。
相對(duì)于覆晶封裝,三維立體封裝中所使用的焊錫高度已經(jīng)縮減了一個(gè)數(shù)量級(jí)。
討論覆晶封裝與三維立體封裝中無(wú)鉛焊錫的熱遷移效應(yīng)。在覆晶封裝中,
焊錫高度為100 μm,我們可以發(fā)現(xiàn)Sn 原子擴(kuò)散至熱端,導(dǎo)致熱端有焊錫的質(zhì)量突出而冷端
會(huì)有質(zhì)量消耗甚至有孔洞生成,然而當(dāng)焊錫高度縮減至5 μm 時(shí),
工具顯微鏡下便無(wú)觀察到焊錫在熱端有明顯的微結(jié)構(gòu)變化。造成在覆晶封裝與三維立體封裝中會(huì)有如此差異之情形,
假設(shè)這有可能是因?yàn)楹稿a高度縮減使得Sn 原子在三維立體封裝中會(huì)比在覆晶封裝中擁
有更大的背向應(yīng)力,導(dǎo)致Sn 原子所受的熱遷移驅(qū)動(dòng)力會(huì)被背向應(yīng)力所抵消掉,
以至于在三維立體封裝微型焊錫接點(diǎn)中Sn 原子不會(huì)有熱遷移發(fā)生。而于本篇論文也會(huì)討論其
臨界溫度梯度與焊錫高度之關(guān)系并且利用critical product 計(jì)算得到當(dāng)工作溫度為150 oC
時(shí)焊錫高度與驅(qū)動(dòng)熱遷移的臨界溫度梯度曲線圖,當(dāng)焊錫高度縮減時(shí),
驅(qū)動(dòng)Sn 原子產(chǎn)生熱遷移所需的臨界溫度梯度會(huì)隨之增大;反之當(dāng)焊錫高度較高時(shí),Sn 原子產(chǎn)生熱遷
移時(shí)所需的臨界溫度梯度也將會(huì)減少
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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