點(diǎn)擊查看產(chǎn)品參數(shù)和報(bào)價(jià)--丨--

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正文:
破壞零組件的外觀須詳細(xì)紀(jì)錄,可以繪圖或照相的方式記錄其破壞的程度
﹙如樣品外觀、位置、形狀、破壞外觀等﹚
試樣的選擇,有時(shí)需同時(shí)考慮比較已破壞與未破壞的零件,
以確定到底是原來(lái)的制造品質(zhì)不良,或是后來(lái)的使用條件所造成。
發(fā)光二極體的界面溫度(Junction temperature)量測(cè)
就目前的研究顯示,發(fā)光二極體的發(fā)光亮度與壽命會(huì)隨著晶片界面溫度的提升而隨之衰減,
即溫度越高不僅會(huì)造成發(fā)光亮度下降,亦會(huì)加速發(fā)光二極體的劣化,
因此,降低發(fā)光二極體的界面溫度已成為現(xiàn)今刻不容緩的課題之一。
欲降低發(fā)光二極體的界面溫度,首先必須先了解發(fā)光二極體界面溫度的量測(cè)方法;
量測(cè)發(fā)光二極體的界面溫度共有下列幾種方法:
(1) 顯微拉曼光譜(micro-Raman spectroscopy)
(2) 熱阻(thermal resistance)
(3) 電激
熒光法(electroluminescence)
(4) 光激熒光法(photoluminescence)
(5) 非接觸法(noncontact method)
(6) 向列液晶(nematic liquid crystal with infrared laser illumination)
(7) 順向電壓法(forward voltage)
其中,顯微拉曼光譜、電激熒光法與光激熒光法因其量測(cè)精準(zhǔn)度較低(±10oC),
因而較不常被使用;非接觸法也因量測(cè)精準(zhǔn)度低且只能應(yīng)用于單顏色發(fā)光二極體
的界面溫度量測(cè)
,
因此其應(yīng)用受到限制;惟獨(dú)順向電壓法因具有量測(cè)方便性且量測(cè)精準(zhǔn)度遠(yuǎn)高于其他量測(cè)方法,
因此成為最常被廣泛使用的量測(cè)方法。順向電壓法之所以可以量測(cè)發(fā)光二極體的界面溫度,
主要是因?yàn)轫樝螂妷簩?duì)溫度微分(dVf/dT)會(huì)呈一固定常數(shù),
藉由此一關(guān)系即可由順向電壓值推算其相對(duì)應(yīng)的溫度值,
此相對(duì)應(yīng)的溫度值即為發(fā)光二極體的界面溫度
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