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正文:
集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)建立在對(duì)圖形再生和轉(zhuǎn)換過程的控制
上。流過集成電路的電子,只有受到很精確尺寸的通道和“墻”
的控制,才能正常工作。一旦這些關(guān)鍵尺寸發(fā)生很小的偏離,電
路就不能正常工作。因此從本質(zhì)上來說,微電子科學(xué)本身與能否
產(chǎn)生預(yù)期的圖形尺寸密切相關(guān)。由于圖形全部是微細(xì)的,因此必
須使用微細(xì)
測(cè)量技術(shù)。超大規(guī)模集成電路的尺寸一般都在亞微米
級(jí)以下,這時(shí)使用光學(xué)
顯微鏡就不能得到正確的結(jié)果,而只有像掃
描電子顯微鏡(SEM)一類的高能束設(shè)備才能實(shí)施微米和亞微
米圖形的測(cè)量。隨著圖形尺寸的減小,集成電路掩膜和圓片制作
工程師面臨的關(guān)鍵問題之一就是如何改善測(cè)量技術(shù)。
測(cè)量技術(shù)和測(cè)量設(shè)備。各種不同類型的設(shè)備可以造成對(duì)同一套
掩膜的不同側(cè)量結(jié)果,此外不同操作者也可造成測(cè)量的可變性。
在同一天里,同一個(gè)操作者用同一個(gè)測(cè)量設(shè)備對(duì)同一個(gè)掩膜上的同
一元素進(jìn)行多次測(cè)量,也可能得到不同的結(jié)果,這種情況是人人皆知的。
可以想象,不同的操作者使用不同的測(cè)量設(shè)備對(duì)不同的掩膜進(jìn)行測(cè)量
將會(huì)造成多大的不一致性,
隨著圖形尺寸的縮小,越來越需要排除操作者的主觀因素,
但也不能把全部問題歸咎于操作者,像差、衍射以及其他光學(xué)變
化都能經(jīng)過顯微鏡造成空間像的變化。衍射將在鉻圖形邊緣造成
明顯的花紋,形成線條邊緣由暗到明的過渡,這種類似于光學(xué)系
統(tǒng)中的愛里斑(它的直徑受衍射限制)的過渡區(qū)必須使用光學(xué)閥來
測(cè)量。一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)中,在0.65的數(shù)值孔徑中有直徑為1.0微米的
愛里圓斑。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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