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標題:機器和構件材料基體不同的微粒組成結構檢測顯微鏡

信息分類:站內新聞   作者:yiyi發(fā)布   時間:2015-11-22 1:07:24 將本頁加入收藏

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正文:

機器和構件材料基體不同的微粒組成結構檢測顯微鏡


機器和構件的損壞實際上總是從由于幾何形狀不連續(xù)或顯微
組織不連續(xù)造成的局部應力集中的區(qū)域開始的。這些應力集中或
應力集中源常常導致局部應力比未考慮應力集中效應而算出來的
名義凈剖面應力高許多倍。當構件承受外載荷作用時,我們可以
用。力流鎊通過構件的想法來獲得與幾何不連續(xù)有關的應力集中
的直觀了解。

應力集中效應
    為了研究應力集中效應。應力增大因子可分為高度局部性的
和廣泛分布性的。高度局部性的應力增大因子是指含有應力集中
的那部分材料的體積比受力構件的總體積小得多,可以忽略不計。
廣泛分布性的應力增大因子是指含有應力集中的那部分材料體積
占受力構件總體積的相當大的部分。因此,對于高度局部性的應力
集中來說,受力部件的總體尺寸和形狀不會因應力集中區(qū)域內的
材料屈服而有顯著的改變。而對于廣泛分布性的應力集中來說,
受力部件的總體尺寸和形狀將由于應力集中區(qū)域內的材料屈服而
有顯著的改變。例如,小孔和內圓角,通常都被看作是高度局部
性的應力集中;彎鉤或環(huán)形掛鉤接頭則歸入廣泛分布性應力集
中。

位錯幾何學
  金屬晶格的缺陷可以分為四大類,包括點缺陷、線缺陷、面
缺陷和體缺陷。
    點缺陷  它是非常局部的晶格缺陷,其影響只波及距缺陷中
心一個或幾個原子直徑的范圍。點缺陷包括空位(失去的原子),
間隙原子、溶質原子和在按其它順序排列的超格子結構中的錯位
原子。
    線缺陷  它是位錯,這種缺陷形式將在下節(jié)中詳細討論。
    面缺陷  它是排列在晶體內部的缺陷平面或缺陷曲面。面缺
陷包括晶界、亞晶界,孿晶界和在晶體內部原子平面中的堆垛層
錯等。
    體缺陷  它是三維的缺陷,諸如空位、氣泡、其定向與周圍
基體不同的微粒,或在不那么完整的基體中的點缺陷的集聚。











出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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