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標(biāo)題:碳化硅晶體實驗-顯微鏡觀察晶體生長面上顯微形貌

信息分類:站內(nèi)新聞   作者:yiyi發(fā)布   時間:2016-1-20 17:30:07 將本頁加入收藏

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正文:

碳化硅晶體實驗-顯微鏡觀察晶體生長面上顯微形貌


  蜷線原點的觀察給我們提供了極大的興趣,在蜷線的極點往往發(fā)
現(xiàn)有某種包裹物,固體的外來顆粒一般具有不規(guī)則的形狀;含有氣
體包裹物的孔穴通常具有平行于晶面平面的圓形或六角形的截面,
在這種情況下證實了外來雜質(zhì)起著蜷線生長的活動中心的作用的這
種假設(shè),然而在很多情況下,在蜷線中心沒有發(fā)現(xiàn)任何包裹物,這
時蜷線可能是由于晶體原始骨架的生長而形成蜷線,我們現(xiàn)在不來
討論有利于產(chǎn)生蜷線的第二種機(jī)理的已有事實。

 在一定的技術(shù)條件下得到的碳化硅晶體是透明的,同時有些試樣
充滿了粗大的氣體包裹物,這些氣體包裹物有時可能提供我們認(rèn)晶
體表面生長的歷史,在氣孔包裹物的底表面上我們成功地看到蜷線
的最初幾圈和生長層組,觀察得到的結(jié)論是,在晶面生長過程中,
其蜷線顯微形貌 可以發(fā)生重大的改變,在晶面生長的鄰近區(qū)內(nèi)產(chǎn)
生的新中心與原始的支配中心競爭;晶體中的缺陷常常沿著傾斜方
向的點陣轉(zhuǎn)換,由新生長中心處的急劇生長可以完全改變生長層階
前的方向,因此,生長的晶面是不斷地改變顯微形貌的表面,顯微
形貌的個別要素僅僅是在某一段時間內(nèi)的在晶面的小區(qū)域范圍內(nèi)同
周相在生長的。

  同時,如上述碳化硅晶體的顯微鏡研究指出了晶體生長面上顯微
形貌 的多變性,晶面被晶界所分離的表面局部區(qū)域具有蜷線結(jié)構(gòu)
,通常蜷線包圍了晶面表面相當(dāng)大面積,而沿著厚度方向,它們概
括的面積則較小,這些區(qū)域內(nèi)的蜷線梯階的高度往往是簡單整數(shù)。
  因此可以認(rèn)為,與晶體結(jié)構(gòu)空間的我灸性相似,存在著有歷史意
義的晶面蜷線顯微形貌的可變性,同時,有蜷線結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域則
相當(dāng)于以一定層次排列的規(guī)律為特征的區(qū)域,同時應(yīng)該指出,在個
別情況下,螺旋梯階狀小的高度可達(dá)4微米,嚴(yán)格遵守一定的堆積
規(guī)律,由這種螺旋梯階狀小所形成的蜷面層的高度,顯然應(yīng)該與晶
體區(qū)域內(nèi)的點陣重復(fù)周期一致。











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