標(biāo)題：氧化硅層是怎樣形成在硅片表面上的?-材料顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2016-4-27 1:09:50
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正文:
氧化硅層是怎樣形成在硅片表面上的?-材料顯微鏡
氧化硅層是怎樣形成在硅片表面上的?
在氧的氣氛中加熱硅片，是一種使硅表面氧化的最簡(jiǎn)單
情況。如果使用干燥的氧氣，則氧化物生長(zhǎng)的速度是相當(dāng)慢
的，使用氧和水蒸氣的混合物，可使氧化物生長(zhǎng)快得多。如
果硅片是在水蒸氣流中加熱，則可以獲得更為快速的生長(zhǎng)。
圖5中示出相對(duì)的生長(zhǎng)速率。集成電路制造中使用的典型氧
化物的厚度是在0．5到2微米范圍內(nèi)。對(duì)于1微米的氧化厚
度來(lái)說(shuō)，硅必須在水蒸氣流和在1100℃下加熱3小時(shí)左右。
什么是光致抗蝕工藝，怎樣用于氧化硅的選擇性去除?
光致抗蝕工藝，是一種在原理上與用于印制電路板制造
中的光刻工藝相似。氧化后的硅片首
先覆蓋一層叫做光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的材料，通常光
刻膠是可溶的，但是當(dāng)曝露在紫外光中時(shí)，它就變得不溶解
于酸也不溶于溶劑了。一塊叫做光掩膜的，具有明暗區(qū)域的
掩膜板放在硅片上面，然后硅片在紫外光中曝光。紫外光所
通過(guò)的光掩膜的明亮區(qū)域，這部分的光刻膠就變?yōu)椴豢扇芰耍?/div>
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
但是在暗區(qū)域下面的光刻膠卻不受影響，然后可以溶去這部
分光刻膠而讓氧化硅曝露出來(lái)�，F(xiàn)在，如果將薄片浸入氫氟
酸溶液中，則曝露在外面的氧化硅被蝕刻掉，使硅曝露出來(lái)，
而氧化硅的其余部分由不可溶的光刻膠保護(hù)著。至此，不可
溶的光刻膠用一種特殊的“剝離”方法從氧化的硅片上除去，
得到需要擴(kuò)散雜質(zhì)的沒(méi)有氧化的區(qū)域。
什么是硅的外延生長(zhǎng)?
這是一種淀積硅化合物的蒸氣，在硅片表面上形成硅薄
層的方法。淀積的硅將延續(xù)襯底薄片的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，所以如果
襯底是單晶體，那么淀積層亦是具有相同取向的單晶體。
硅薄片加熱到1200℃左右，四氯化硅的蒸氣與氫混合
后在薄片上面通過(guò)。四氯化硅離解后，硅原子就淀積在薄片
的表面上，氯化物原子與氫化合成氯化氫(HCl)氣體而排去。
用這種工藝能夠很方便地做成10微米左右的硅層，并且可以
通過(guò)在四氯化硅氣體中混合適當(dāng)?shù)膿诫s雜質(zhì)，來(lái)控制薄層的
電導(dǎo)率。
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