標(biāo)題：制造高精度光學(xué)圖像分析光刻機(jī)械零件分析
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2017-6-13 22:18:45
將本頁(yè)加入收藏
下一篇：光刻膠結(jié)構(gòu)熱氧化微電子學(xué)技術(shù)-分析顯微鏡
上一篇：沸點(diǎn)高、重的化合物其碳鏈很長(zhǎng)-礦物實(shí)驗(yàn)顯微鏡
點(diǎn)擊查看產(chǎn)品參數(shù)和報(bào)價(jià)--丨--
---
---
---
正文:
制造高精度光學(xué)圖像分析光刻機(jī)械零件分析
圖形化的涂層應(yīng)被保護(hù)以免受到影響和沖擊，由于涂層本身
可以阻止這些影響，因此這一涂層也稱為抗蝕劑(防護(hù)性涂層)，抗
蝕劑也能起到固定基體上蝕刻掩模的作用，因此硅片表面上僅已曝
光的區(qū)域在接下來(lái)的加工處理中改變。用于結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換的電磁波波譜
取決于需被轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)尺寸，可見(jiàn)光或接近紫外光(UV)的光可以用
于大于0．5μm及以上的結(jié)構(gòu)，遠(yuǎn)紫外光(波長(zhǎng)193nm)用于結(jié)構(gòu)尺寸
小到0．15μm的結(jié)構(gòu)，X射線(波長(zhǎng)在0．2—20nm的同步輻射)仍處
于研究和開(kāi)發(fā)階段，對(duì)于尺寸小至幾納米的結(jié)構(gòu)，應(yīng)采用電子束或
離子束光刻。在電子束光刻過(guò)程中，電子束由掃描模式(類(lèi)似于用
在電視機(jī)接收器中的模式)導(dǎo)向于基體，同時(shí)電子束被迅速地產(chǎn)生
或停止。與用于大批量生產(chǎn)的投影方法相比，電子束光刻是一個(gè)系
列信息的轉(zhuǎn)換過(guò)程。因此，電子束光刻是緩慢的高精度加工過(guò)程。
電子束光刻的關(guān)鍵是生產(chǎn)精密的掩模，掩模的CAD數(shù)據(jù)可以被連續(xù)
地寫(xiě)入電子敏感層中。與制造高精度的掩模相比，生產(chǎn)出合格的產(chǎn)
品是第二項(xiàng)重要因素。
隨著對(duì)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換精度要求的提高，光學(xué)圖像(圖像還原)已經(jīng)接
近它的物理極限。沒(méi)有一個(gè)透鏡可以把“完整晶片”上已曝光的微
米級(jí)的細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)換到一個(gè)200mm直徑的晶片上。由于非常需要
對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行校驗(yàn)，所以一次只對(duì)晶片的一部分進(jìn)行曝光。然后在光
學(xué)裝置下的硅片被機(jī)械地移動(dòng)到下一個(gè)需要重復(fù)的曝光位置，這一
過(guò)程稱為“步進(jìn)和重復(fù)”。上述過(guò)程已應(yīng)用到電子束光刻中。這里
電子?xùn)|刻寫(xiě)器可以刻寫(xiě)的最大面積為lmmXlmm。在完成每一次刻寫(xiě)
后，帶有掩模的鏡臺(tái)被機(jī)械地移動(dòng)到下一個(gè)刻寫(xiě)區(qū)域。由于很多結(jié)
構(gòu)跨過(guò)不止一個(gè)區(qū)域，所以機(jī)械位移的位置誤差應(yīng)小于最小結(jié)構(gòu)尺
寸的一定倍數(shù)，而且在結(jié)構(gòu)中位置是否對(duì)正也應(yīng)引起注意。這些由
干涉儀控制的機(jī)械鏡臺(tái)是光刻機(jī)械中最昂貴的零件。
光學(xué)輻射過(guò)程的重要功能是掩模的縮放。應(yīng)能區(qū)別陰影投影過(guò)
程(在此，掩模與需要轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的晶片具有同樣的尺寸)和圖像(還
原而成的圖像)成家過(guò)程。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/9919.html
北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應(yīng)商
北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應(yīng)商