標(biāo)題：金屬芯片樣品失效襯底分析圖像光學(xué)顯微鏡
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2017-7-2 13:20:23
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正文:
失效分析——原子力顯微鏡工具
原子力顯微鏡(AFM)工具對(duì)ESD失效分析有重大價(jià)值。AFM可以
提供形貌、靜電勢(shì)和摻雜剖面分析。對(duì)于研究ESD事件之前和之后
的形貌，AFM很有價(jià)值。形貌圖可以提供MOSFET源極、漏極、柵極
的ESD失效的詳細(xì)分析。形貌圖可以顯示ESD失效之后器件的熔融區(qū)
域。AFM的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。AFM的探針尖非常接近樣品，從而感受形貌
，靜電勢(shì)和電容耦合。探針針尖掃描目標(biāo)區(qū)域的二維表面來(lái)提供該
區(qū)域的可視圖。
EOS失效分析——熱致電壓變化工具
有一種ESD失效分析方法是熱致電壓變化(TIVA)。TIVA方法最
初是由E℃ole和Jr提出。另一種方法，電流引起的電壓改變(CIVA)
也被提出。對(duì)于ESD分析TIVA方法有價(jià)值，因?yàn)樗梢苑治鲩_(kāi)路和
短路狀態(tài)。ESD缺陷可以是開(kāi)路事件(如金屬失效)或短路事件(如冶
金結(jié)失效)。TIVA方法可以從正面和襯底進(jìn)行分析；對(duì)于發(fā)生在半
導(dǎo)體器件或互連線的ESD失效，這是有利的。ESD評(píng)估的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)
是無(wú)損。此外，它是一個(gè)全芯片方法；一些ESD失效發(fā)生在芯片外
圍，但也可能發(fā)生在內(nèi)部。對(duì)于半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的失效，I／O PAD
的終端測(cè)量是不能觀察到失效的。
在TIVA裝置中，聚焦激光束掃描于互連金屬圖形上。施加一個(gè)
直流(即恒流偏置)在半導(dǎo)體芯片樣品上。恒定電流偏置和激光光束
將導(dǎo)體局部加熱。隨著導(dǎo)體局部被加熱，有開(kāi)路缺陷的導(dǎo)體就會(huì)有
潛在的熱電勢(shì)變化(即塞貝克效應(yīng))。如果是短路電路，電阻會(huì)發(fā)生
變化。在這兩種情況下，半導(dǎo)體芯片的電源需求是變化的但是也可
被測(cè)量(在恒流模式下測(cè)量)。同時(shí)監(jiān)測(cè)電源電壓和掃描激光束的位
置，可以定義和識(shí)別出一個(gè)圖像。TIVA方法的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是它針對(duì)“
短路”和“開(kāi)路”，并且強(qiáng)電壓信號(hào)是可以衡量的。許多電路技術(shù)
中的信號(hào)幅度一般是數(shù)十到數(shù)百毫伏，而在這種方法的電壓信號(hào)更高。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商
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