氮化鈦薄膜表面，經(jīng)掃描電子顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn)，濺鍍時間與晶粒大小并無明顯相關(guān)性。

2.濺鍍時間會影響氮化鈦薄膜之顏色，時間由短至長所導(dǎo)致的變化依序為：淺黃à金黃à深黃à紫à深藍à淺藍。

3.利用Alpha-Step量測后可得知，成長速率最快的濺鍍條件為濺射電源800 V，偏壓電源50 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為11.95 nm/min。成長速率最慢的濺鍍條件為濺射電源900 V，偏壓電源100 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為1.34 nm/min。

4.經(jīng)EDS分析，可得知此實驗所制備之薄膜，確實含有Ti以及N的成分。將濺射電源700 V、偏壓電源100 V、氮氣量30 sccm、濺鍍時間40分鐘所制備的薄膜，做EDS分析，得知，在0.5、4.5、5.0 keV的位置出現(xiàn)Ti的訊號，在0.4 keV則出現(xiàn)N的訊號，在0.6 keV與1.9 keV分別有O以及Si的訊號。

5. 經(jīng)XRD分析薄膜后，得知2θ角在37.5°、43.6°、63.5°、68.8°、及78.3°的地方，分別出現(xiàn)(103)、(200)、(220)、(301)、及(224)等Ti2N結(jié)構(gòu)的繞射峰。

6. 薄膜經(jīng)阻抗分析儀在室溫下，掃描頻率范圍為40 Hz ~ 30 MHz之間進行測量，發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)會隨著頻率的增加，先略為下降再上升。

7. 濺射條件為濺射電源900 V、偏壓電源100 V、氮氣量30 sccm下所制備之氮化鈦薄膜，于掃描頻率1 MHz下，發(fā)現(xiàn)在濺鍍時間為15分鐘時有最大的介電常數(shù)值，183。

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