鍍層空洞及松散的金屬結(jié)構(gòu)信賴度問題

近年來，隨著電子產(chǎn)品朝向高性能、多功能、小型化、薄型化、攜帶型化等
的方向發(fā)展，在上述的背景之下，使得IC 電子構(gòu)裝技術(shù)逐漸由原本二維型構(gòu)裝朝
向三維型的高密度電子構(gòu)裝的趨勢發(fā)展，為逹此目的，系統(tǒng)構(gòu)裝(system in package,
SiP)之技術(shù)因而開發(fā)出來，此一技術(shù)是將各類元件、介質(zhì)層、佈線以及大規(guī)模積體
電路(Large Scale Integration, LSI)、大型積體電路(Very Large Scale Integration, VLSI)
與專用積體電路(Application Specific Integrated Circuint, ASIC)等統(tǒng)一集成于一個
電子構(gòu)裝統(tǒng)之內(nèi)，它具有龐大的『系統(tǒng)』功能，將原來的三個構(gòu)裝層次包括一級
晶片、二級IC 基板構(gòu)裝、三級母板構(gòu)裝，合併成僅一個構(gòu)裝層次。此舉就能夠?qū)?br />電子構(gòu)裝密度提到最高，使系統(tǒng)的功能越強、性能越好、重量越輕、體積越小、
可靠性越高、成本卻相對更低。目前SiP 朝向『系統(tǒng)多層構(gòu)裝』方面發(fā)展，接腫而
來是對應多引腳、高速化的微互連技術(shù)中所面臨問題即是微細佈線基板中導孔與
多晶片間的連接通孔等金屬化問題。要如何將這此微米線路、盲孔以及通孔金屬
化而不會產(chǎn)生鍍層空洞及松散的金屬結(jié)構(gòu)等等信賴度上的問題，

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