標(biāo)題：微機(jī)械加工-復(fù)雜機(jī)械器件的結(jié)構(gòu)檢測顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2018-1-25 23:58:12
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正文:
微機(jī)械加工-復(fù)雜機(jī)械器件的結(jié)構(gòu)檢測顯微鏡
氧化物埋層工藝
該工藝還正處于研發(fā)中，它是在注氧隔離技術(shù)(SIMOX)的基礎(chǔ)
上開發(fā)出來的，SIMOX技術(shù)開始是用來制作IC②電路用的硅一絕緣
體(SOI)晶片。氧化物埋層技術(shù)是利用二氧化硅掩埋層的腐蝕特性
來制作微結(jié)構(gòu)。用相應(yīng)的離子注入技術(shù)將氧注入硅襯底以后，采用
高溫退火使氧離子與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅的氧化物埋層。剩余
的單晶硅薄層仍能進(jìn)行外延層的生長，外延層厚度范圍從幾微米到
幾十微米。
在微機(jī)械加工中，將二氧化硅埋層用作腐蝕停止。例如，像氫
氧化鉀這樣的腐蝕劑的腐蝕速率在腐蝕劑到達(dá)二氧化硅層時(shí)明顯減
慢。不管怎樣，這一工藝能夠通過適當(dāng)注入氧的方法制作帶有腐蝕
圖形的二氧化硅掩埋層。
硅熔融鍵合任何復(fù)雜機(jī)械器件的結(jié)構(gòu)都對(duì)單個(gè)部件的加工和部件的
裝配有所要求
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/10791.html
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