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正文:
晶圓檢測
顯微鏡-判斷研磨品質(zhì),顆粒大小
測量
晶片切割研磨
完成制程晶圓(Wafer)我們將它切成晶片(Chip),因為鈮酸鋰在切割過程容易破裂,
依照經(jīng)驗我們必須控制切割時的進(jìn)刀速度小于0.5mm/sec以防止晶片破裂。
完成晶片切割后,在晶片的兩端貼上同等寬度的鈮酸鋰擋片(Block),
做角度切割后再研磨。貼上這擋片的用意是為了強(qiáng)化光波導(dǎo)與光纖結(jié)合強(qiáng)
度,并且可防止晶片研磨時邊緣破壞(Chipping)或圓化(Rounding)造成光
波導(dǎo)缺陷影響光耦合效率。
晶片研磨采用光纖研磨系統(tǒng),研磨系統(tǒng)的組成包含研磨機(jī)、晶片夾具、研磨片及加壓錘。
首先我們將晶片鎖在夾具上,夾具夾持的方式是靠機(jī)械夾持,
夾持的部位在晶片的末端擋片上不會對光波導(dǎo)造成破壞,夾持方式也不需使用蜜臘,
省了繁雜的上密臘與清潔密臘的程序。夾具基座的用處在于提供一個平臺,
使晶片夾持時每一片的伸出量相等,使每一片晶片在同一研磨面上,并且可藉此校準(zhǔn)每一片晶片的研磨角度。
加壓錘可加入不同重量的砝碼來調(diào)整研磨壓力,配合不同大小顆粒的研磨片加上適
當(dāng)?shù)膲毫σ源_保研磨效果,
研磨機(jī)轉(zhuǎn)動為固定轉(zhuǎn)速 120rpm 公轉(zhuǎn)及 2rpm 自轉(zhuǎn),所以切削量是藉由時間長短來控制,由于研磨方式采取顆粒大小漸進(jìn)
變化所以可縮短研磨時間至半小時以內(nèi),
研磨結(jié)果使用工業(yè)
檢測顯微鏡檢查判斷研磨品質(zhì),不容許太多刮痕,因為刮痕越多光波導(dǎo)被刮到的機(jī)率越高,一般要求刮痕少于五條
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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