標(biāo)題：使用電子顯微鏡研究加熱時(shí)微觀結(jié)構(gòu)缺陷消失的過程
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2015-11-18 11:26:00
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正文:
人們已經(jīng)使用電子顯微鏡研究加熱時(shí)缺陷消失的過程。例如大約
在473k時(shí)，鋁中淬火位錯(cuò)環(huán)逐漸縮小而最后消失。 該過程的激
活能為1．3電子伏持，這就提醒我們，該機(jī)理是位錯(cuò)攀移， 因?yàn)橥ㄟ^
空位的散射位錯(cuò)環(huán)能收縮。消失速率呈拋物線性變化，進(jìn)一步縮小更
加迅速。淬火空位引起電阻率增量變化，測(cè)量這個(gè)變化表明：同樣溫度
范圍內(nèi)鋁的位錯(cuò)環(huán)消失時(shí)，其電阻率就恢復(fù)。實(shí)際上，電阻率曲
線有兩段：第一段在室溫下幾分鐘內(nèi)發(fā)生，設(shè)想為空位在聚集并且形
成位錯(cuò)環(huán)j第二段溫度為423k～473k之間發(fā)生，這是位錯(cuò)環(huán)的消失
階段。用退火的方法較難于消除四面體缺陷。金中的四面體缺陷溫度
為873～923k的范圍內(nèi)才消失，并與電阻率的顯著下降相對(duì)應(yīng)。1
溫度為623～673k退火時(shí)，位錯(cuò)環(huán)消失(自擴(kuò)散) 的激；活能約為1．8
電子伏特，而四面體運(yùn)動(dòng)的激活能接近5電子伏特。
更詳細(xì)的觀測(cè)可知，大量輻照的金屬中，直徑約25埃的小暗點(diǎn)或
者觀察到的更小的暗點(diǎn)很可能是發(fā)生貧化的區(qū)域而不是位錯(cuò)環(huán)
不僅在一般的輻照溫度下，而且在低于223K的溫度下，銅中也容易
形成這些小暗點(diǎn)。這一跡象提醒我們，小暗點(diǎn)是就地形成而不是擴(kuò)散
形成的。更進(jìn)一步的研究得知，小暗點(diǎn)濃度的增加與輻照成正比，不
同于已經(jīng)觀察到的較大位錯(cuò)環(huán)。在相當(dāng)?shù)偷臏囟?銅、銀為623K以
下)下進(jìn)行退火時(shí)；可能由于預(yù)先未分解的缺陷的長(zhǎng)大而出現(xiàn)更多的
的小缺陷。其后，某些黑點(diǎn)以消耗其它小點(diǎn)而得到生長(zhǎng)。
現(xiàn)在討論微觀結(jié)構(gòu)更明顯特性的位錯(cuò)環(huán)精確性質(zhì)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了間
隙型和空位型位錯(cuò)環(huán)的證據(jù)，但這些試驗(yàn)指出，空位型的位錯(cuò)環(huán)是主
要的
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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