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標(biāo)題:鑲嵌小巧電子學(xué)線路并有較好的位置分辨率檢測(cè)顯微鏡

信息分類:站內(nèi)新聞   作者:yiyi發(fā)布   時(shí)間:2015-11-22 16:48:36 將本頁加入收藏

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正文:

鑲嵌小巧電子學(xué)線路并有較好的位置分辨率檢測(cè)顯微鏡


位置靈敏探測(cè)器

  半導(dǎo)體探測(cè)器發(fā)展的早期,就試圖制造一種小巧的同時(shí)是位
置和能量靈敏的器件。在這些早期的器件中,用鑲嵌許多分開的
探測(cè)器的組創(chuàng),或在同一基片材料上制成一定數(shù)目的適當(dāng)分開的
面壘型計(jì)數(shù)器,來得到對(duì)入射粒子位置的靈敏性。

    位置靈敏探測(cè)器”近來代替了這些系統(tǒng),因?yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,簡(jiǎn)
化了相關(guān)的電子學(xué)線路并有較好的位置分辨率(探測(cè)器單元之間
不存在死空間)。使用這些器件能夠直接記錄粒子的角分布或者
代替磁譜儀上用的照像底板。它能夠同時(shí)分析入射粒子的動(dòng)量和
能量,避免了對(duì)照象底板作繁瑣的顯微鏡觀測(cè)。
晶格的結(jié)構(gòu)缺陷
    人們通常把半導(dǎo)體晶體假設(shè)為靜止原子的完美的周期性結(jié)
構(gòu)。實(shí)際的半導(dǎo)體與這種情況有許多差別,這種差別主要有熱振
動(dòng)、雜質(zhì)和結(jié)構(gòu)上的缺陷。對(duì)半導(dǎo)體輻射探測(cè)器來說,在制造過程
中很容易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷(在375℃時(shí)鍺就發(fā)生塑性變形)。結(jié)構(gòu)
缺陷也可以由輻射引起。
    缺陷的重要性主要在于它們對(duì)遷移率、復(fù)合和俘獲現(xiàn)象的影
響,我們以后再研究它。在半導(dǎo)體中存在的結(jié)構(gòu)缺陷,大致可分為
如下幾類:口)點(diǎn)缺陷;6)線缺陷;c)面缺陷。因?yàn)殛P(guān)于面缺陷(即
。臺(tái)內(nèi)平面或表面的不完整性),目前知道得不多,而且它們并不顯
得非常重要,所以我們著重討論前兩類缺陷。











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