標(biāo)題：樣品氧化過程試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)分析圖像顯微鏡制造廠商
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作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2015-12-14 13:14:19
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正文:
樣品氧化過程試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)分析圖像顯微鏡制造廠商
中等程度壓力的試驗(yàn)
進(jìn)行了一系列的在10毫米水銀柱至一大氣壓的壓力范圍內(nèi)高溫氧
化過程的試驗(yàn)，在10毫米水銀柱壓力或較低壓力下，發(fā)現(xiàn)樣品失重
是由于氧化過程的結(jié)果，說明在這個(gè)壓力范圍內(nèi)這個(gè)反應(yīng)涉及揮發(fā)
的化合物SiC和CO從表面去除，在較低壓力范圍內(nèi)氧化速率高于壓
力的范圍，樣品在高壓力范圍內(nèi)由于形成SiC而增加重量，在10毫
米水銀柱的大氣壓之間的某些壓力必然存在著一個(gè)過渡范圍，在這
個(gè)過渡范圍揮發(fā)過程被薄膜的形成所代替。
若將高真空和高壓力下的試驗(yàn)結(jié)果相聯(lián)系，關(guān)于氧化過程可以概
述于下列的步驟。
1、在低壓力和室溫下，氧吸附在清洗的SiC表面上具有0.01數(shù)量
級粘附系數(shù)，吸附層的正確結(jié)構(gòu)末曾清楚，但是以前的經(jīng)驗(yàn)指出平
衡層厚度可能不大于2個(gè)單分子層，吸附層的存在導(dǎo)致表面性質(zhì)如
功函數(shù)和光電產(chǎn)率大大的改變。
2、增加溫度和維持氧的壓力在10毫米水銀柱對不上號，SiC以揮
發(fā)氧化物形態(tài)的蒸以成為重要的了，且引起可以測量得出的重量損
失，這和所觀察到的吸附的愧疚能夠在真空下低達(dá)500℃時(shí)部分地
被除去的現(xiàn)象一致的。
3、如果氧化是一個(gè)大氣壓數(shù)量級的壓力下和900℃以上發(fā)生的，
那末就會(huì)有數(shù)百單分子層厚的SiC薄膜形成，當(dāng)平衡復(fù)蓋層完成時(shí)
，則表面就可以防止進(jìn)一步的氧化，因?yàn)樵缫源_定，初期的氧單分
子層形成能夠使表面的電性產(chǎn)生很大變化，所以研究較厚的分子層
產(chǎn)生影響是重要的，從確定氧化物層所引起的作用的觀點(diǎn)研究了Si
C晶體和銅點(diǎn)接觸處之間的整流性質(zhì)，他的實(shí)驗(yàn)指出SiC薄膜對整流
過程不是重要的，僅僅作為一個(gè)電阻層。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應(yīng)商
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