標題：多晶硅覆蓋的柵氧區(qū)厚度截面金相分析顯微鏡
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2017-4-28 1:30:21
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正文:
光電倍增管是很理想的探測器，但它是一種一元探測器，這是
其最大的弱點。雖然目前已研制出多陰極光電倍增管，它相當于許
多很細的倍增管組成的矩陣，但目前也只能作到一百個左右的通道
，與期望值相比還遠遠不足。
近年來，在天文觀測中(主要是對暗目標的觀測)，二維光電器
件得到越來越多的應用。二維光電器件兼?zhèn)淞苏障嗟灼凸怆姳对?/div>
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
管的優(yōu)點，是一種更為理想的探測器。按其工作原理和結構可分為
:像增強器、電子照相機和電視型探測器等。
二相CCD
為使CCD能在二相時鐘脈沖驅動下工作，電極本身必須設計成
某種不對稱性，即由電極結構本身保證電荷轉移的定向性。產生這
種不對稱性的最常用的方法是利用絕緣層不同厚度的臺階和離子注
人來產生內勢壘。
臺階氧化層二相結構:形成臺階氧化層電極結構的方法可以有
多種，現(xiàn)在多采用二相硅一鋁交疊柵結構。第一層電極采用低電阻
率多晶硅。在這些電極上熱生長絕緣氧化物的過程中，沒有被多晶
硅覆蓋的柵氧區(qū)厚度也將增長。第二層電極采用金屬鋁電極，鋁柵
下絕緣物質厚度與硅柵下不同，因而在相同柵壓下形成勢壘，它的
作用是將各個信號電荷包隔離并且限定電荷轉移的方向。這種結構
的顯著優(yōu)點是電極間發(fā)生短路的可能性小，成品率高，適用于高性
能、高封裝密度的大型CCD器件。
注人勢壘二相結構:采用離子注人技術可在電極下面獲得表
面勢不對稱結構。在N溝道中可注人硼原子，當其離化后在表面
產生固定的負電荷，這種負電荷使電壓提高，形成臺階梯狀的勢壘
分布。注人勢壘比氧化物臺階勢壘可以做得更高些。
二相CCD結構的優(yōu)點是驅動脈沖簡單，在相同的時鐘頻率下
電荷包轉移一個單元所需時間短些。與三相CCD相比，布線也比
較簡單，但它的單元存貯電荷的容星卻不如三相CCDO
除了這兩種 CCD結構外，廣泛采用的CCD結構還有虛相(單
相)CCD和四相CCD，它們也各有優(yōu)缺點。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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