標(biāo)題：印刷晶體底柵型結(jié)構(gòu)燒結(jié)-電路焊接分析顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2017-5-16 1:06:44
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正文:
印刷晶體底柵型結(jié)構(gòu)燒結(jié)-電路焊接分析顯微鏡
印刷晶體管：工藝集成
通常．打印晶體管具有兩種常見的結(jié)構(gòu) 一頂柵型結(jié)構(gòu)和底柵
型結(jié)構(gòu)。在頂柵型結(jié)構(gòu)中，首先印刷的是溝道結(jié)構(gòu)．接著是柵極電
介質(zhì)和柵電極。而在底柵型結(jié)構(gòu)中，過程則是相反的，柵電極和柵
極電介質(zhì)先于溝道印刷。兩種結(jié)構(gòu)都有各自的優(yōu)缺點，究競選取哪
種結(jié)構(gòu)主要取決于所采用的材料系統(tǒng)。
頂柵型和底柵型晶體管結(jié)構(gòu)對比
頂柵型結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體在柵極電介質(zhì)和柵電極之前優(yōu)先印刷。
這種結(jié)構(gòu)具有以下幾個優(yōu)點：首先，由于半導(dǎo)體是置于已知界面上
的(通常來說即襯底本身)，襯底通常具有確定的化學(xué)成分，且表面
非常光滑，因此可以確保印刷半導(dǎo)體的性能。流經(jīng)晶體管的電流非
�？拷雽�(dǎo)體介質(zhì)面。因此，在頂柵型結(jié)構(gòu)的晶體管中．電流實際
上就在靠近半導(dǎo)體的頂界面上流通．這同樣也會進一步保證生產(chǎn)出
的晶體管的性能。同時，由于半導(dǎo)體層是被電介質(zhì)和柵極所包覆的
。因而可以保護半導(dǎo)體層免受后續(xù)工藝過程的損壞。
頂柵型結(jié)構(gòu)的缺點主要是：由于半導(dǎo)體層是在第一層放置的，
因此有可能會受到后續(xù)工藝過程中熱循環(huán)和溶劑的影響，從而降低
晶體管的性能。
而在底柵型結(jié)構(gòu)中，一方面由于印刷半導(dǎo)體一般是最后一步工
序．唯一可能的后續(xù)步驟是包覆一層保護電路的絕緣層。因此，底
柵型結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體材料可以保持較高的性能。另一方面，由于底柵
型結(jié)構(gòu)的晶體管中．半導(dǎo)體層是在柵極和電極之后印刷的，因此相
較于頂柵型結(jié)構(gòu)晶體管而言．半導(dǎo)體層所依附的界面相對粗糙．性
能不夠理想。所以．相對于優(yōu)化的頂柵型結(jié)構(gòu)而言，底柵型結(jié)構(gòu)晶
體管的半導(dǎo)體層的秩序化程度和形貌較差。
因此，綜合來講，兩種晶體管各有優(yōu)缺點。究竟選取哪種結(jié)構(gòu)
取決于所采用的材料體系。例如．當(dāng)采用燒結(jié)步驟．而且半導(dǎo)體熱
不穩(wěn)定時，更適合采用底柵型結(jié)構(gòu)，這是因為后續(xù)的燒結(jié)步驟會降
低頂柵型結(jié)構(gòu)晶體管中半導(dǎo)體性能。鑒于這種狀況，我們有必要單
獨討論這兩種結(jié)構(gòu)，并明確與之相關(guān)聯(lián)的特殊工藝過程
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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